Электронные частей : BUL642D2G

Производитель : Semiconductor

Упаковка :

Pins :

Описание : High Speed, High Gain Bipolar Transistor with Integrated Collector−Emitter Built−in Efficient Antisaturation Network

Темп. диапазон : Мин °C | Макс °C

Datasheet : BUL642D2G PDF

• BUL642D2
• BUL642D2G